[发明专利]具有不同排列方式的异质结构介电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200810048174.X 申请日: 2008-06-25
公开(公告)号: CN101312079A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 周静;陈文;朱杰;朱泉峣;孙华君;徐庆;雷琼;沈杰 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: H01B3/12 分类号: H01B3/12;H01B3/10;C04B35/03;C04B35/465;C04B35/495;C04B35/622;B32B9/00;B32B7/02
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 张安国
地址: 430070湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种具有不同排列方式的Ca(Mg1/3Nb2/3)O3/CaTiO3异质结构介电薄膜材料及其制备方法。采用多种不同的复合叠加方式,获得了具有不同相结构和介电性能的异质结构介电薄膜材料,并证明薄膜层的排列方式对异质薄膜的结构与性能有较大影响。在非周期性重复排列方式中,仅有CaTiO3-CaMg1/3Nb2/3O3排列方式的异质介电薄膜具有单一的钙钛矿结构,而且薄膜表面均一致密。周期单元周期性重复排列方式中,改变排列方式不影响薄膜的结构,不同叠层结构均具有单一钙钛矿结构,薄膜表面均一致密。相对于非周期重复排列薄膜,周期单元周期性重复排列方式提高了异质薄膜的介电性能,而介电损耗较低。本发明的CaMg1/3Nb2/3O3/CaTiO3异质结构的介电薄膜,适用于薄膜化与小型化的微波通信领域介质元件。
搜索关键词: 具有 不同 排列 方式 结构 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种异质结构介电薄膜,其特征是,该介电薄膜由CaMg1/3Nb2/3O3膜层与CaTiO3膜层按不同排列方式堆垛构成,薄膜厚度为100nm~2μm,排列方式为非周期性重复排列或者周期单元周期性重复排列,所述的CaMg1/3Nb2/3O3膜层与CaTiO3膜层的层数比为2∶1。
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