[发明专利]一种半导体纳米晶及其制备方法有效
| 申请号： | 200810049338.0 | 申请日： | 2008-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101311383A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李林松;娄世云;牛金钟 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/48 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 刘建芳 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体纳米晶及其制备方法，所述半导体纳米晶组成如下：AXB1－XC，0＜x＜1，其中A为Cd或Zn：A为Cd时，B为Hg，C为Te；A为Zn时，B为Cd或Cu，C为Se。制备时先将CdTe或ZnSe纳米晶溶于反应溶剂中，以C4－C12的硫醇为稳定剂，然后与汞盐、镉盐或铜盐溶于有机溶剂的溶液充分作用，保持温度为20－100℃，即得AXB1－XC半导体纳米晶。本发明制得的半导体纳米晶尺寸、形貌可控，发光效率高，发光范围可根据需要调节。制备方法简单，条件容易控制可控，反应条件平和，成本低，值得推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体纳米晶，其特征在于所述半导体纳米晶组成如下：AXB1-XC，0＜x＜1，其中A为Cd或Zn：A为Cd时，B为Hg，C为Te；A为Zn时，B为Cd或Cu，C为Se。
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