[发明专利]一种通过减薄阻挡层制备多孔氧化铝的方法

摘要

本发明涉及一种通过减薄氧化阻挡层制备多孔氧化铝的方法。其是将经预处理的铝片在硫酸的冰浴电解液中，进行二次氧化，得到多孔氧化铝膜；再对多孔氧化铝膜施加一个比氧化电压小2～3V的电压，每隔10～15min降一次电压，每次降2～5V，直到电压降到7～8V为止，即制备得到薄化了氧化阻挡层的多孔氧化铝膜；本发明采用局域限流法对氧化阻挡层进行去除处理，优点在于减小了化学方法除去阻挡层对膜的质量所造成的破坏，纳米孔道排列更加有序，孔径更加均匀，模板的质量得到显著提高。同时，由于多孔氧化铝膜所保留的铝基可作为工作电极，不必再溅射或蒸镀导电金属层，为在金属和金属合金纳米线制备领域的应用带来便利。

主权项

1、通过减薄阻挡层制备多孔氧化铝的方法，其步骤如下：(1)铝片的预处理将纯度为99～99.999％、厚度为0.2～1.0mm的铝片，在300～400℃氮气环境中退火3～4h；然后用丙酮除去表面油污，使用0.5～0.8M NaOH稀溶液去除表面氧化膜；再采用体积比为1∶4～5的H4ClO4和无水乙醇的混合溶液为抛光液，在温度0～10℃、直流电压为16～18V的条件下电解抛光50s～3min；经预处理后的铝片用蒸馏水冲洗后，干燥备用；(2)阳极氧化将上面步骤获得的铝片在0.8～1.2M硫酸的冰浴电解液中，15V～20V氧化电压条件下，进行一次阳极氧化，氧化时间为4～8h，用蒸馏水冲洗铝片表面后放入50～60℃的0.5～0.6M磷酸和0.15～0.18M铬酸的混合溶液中浸泡1～3h，以除去一次氧化膜，然后按照第一次阳极氧化条件进行二次氧化，得到多孔氧化铝膜；(3)氧化铝模板的处理于上述冰浴电解液中，对多孔氧化铝膜再施加一个比氧化电压小2～3V的电压，每隔10～15min降一次电压，每次降2～5V，直到电压降到7～8V为止，即通过减薄阻挡层制备得到多孔氧化铝。