[发明专利]制备太阳盲紫外探测器的方法无效
| 申请号： | 200810051098.8 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101345272A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 鞠振刚;张吉英;单崇新;申德振;姚斌;赵东旭;张振中;李炳辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人： | 赵炳仁 |
| 地址： | 130033吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及紫外探测器的制备方法，特别是一种制备太阳盲紫外探测器的方法，采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备氧锌镁膜层，在该氧锌镁膜层上再蒸镀Au膜层，用湿法刻蚀Au膜层制备出叉指形电极，所述的氧锌镁膜层是在以下工艺条件下获得的具有单一立方相的、其吸收边从220nm到260nm的MgZnO薄膜：生长温度为300℃～500℃，生长室真空度为2×104Pa，载气为99.9999％高纯氮气，以二茂镁作为镁源，二乙基锌作为锌源，通过流量控制使生长室中的Zn、Mg摩尔浓度比为Zn/Mg＝0.4～1，氧气压力为2.5×105Pa、流量为550ml/min。本发明方法所获得的立方相MgZnO合金薄膜，不出现分相，具有很好的重复性；其紫外/可见抑制比大于3个量级，光响应截止边在230－280nm连续可调。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 太阳 紫外 探测器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备太阳盲紫外探测器的方法，包括以下步骤：采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备氧锌镁膜层，在该氧锌镁膜层上再蒸镀Au膜层，用湿法刻蚀Au膜层制备出叉指形电极，其特征在于，所述的氧锌镁膜层是在以下工艺条件下获得的具有单一立方相的、其吸收边从220nm到260nm的MgZnO薄膜：生长温度为300℃～500℃，生长室真空度为2×104Pa，载气为99.9999％高纯氮气，以二茂镁作为镁源，二乙基锌作为锌源，通过流量控制使生长室中的Zn、Mg摩尔浓度比为Zn/Mg＝0.4～1，氧气压力为2.5×105Pa、流量为550ml/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
