[发明专利]原位一步法制备疏水性纳米硼酸铜晶须无效
| 申请号： | 200810051115.8 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101343774A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 田玉美;郑云辉;刘艳华;赵旭;丁雪峰;郭玉鹏;王子忱 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/22;C30B29/62;C01B35/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130012吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的技术方案是：将一定体积0.1～1.0mol/l硼砂溶液置于反应器中，加入占硼砂1～4％的阴离子表面活性剂，搅拌均匀后，按投料比再加入浓度为1～2mol/l的铜盐，搅拌升温至50～95℃，恒温搅拌反应晶化5～12h，经过滤、洗涤、脱水、60～120℃下干燥处理，得到直径为200～500nm、长度为10～100μm，长径比为20～500的纳米硼酸铜晶须粉体，其接触角为100～140度，本发明方法的特点是制备工艺简单，最终可以制得纳米硼酸铜晶须，并不像其他晶须制备时需要使用助熔剂，也不需要进行高温煅烧，因而不会产生污染，这些都使得用本发明方法制备的产品具有较高的经济价值和社会价值。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 一步法 制备 疏水 纳米 硼酸 铜晶须 | ||
【主权项】：
1.一种制备疏水型硼酸铜晶须的新方法，其步骤为：将一定体积0.1～1.0mol/l硼砂溶液置于反应器中，加入占硼砂1～4％的阴离子表面活性剂，搅拌均匀后，按投料比再加入浓度为1～2mol/l的铜盐，搅拌升温至50～95℃，恒温搅拌反应晶化5～12h，经过滤、洗涤、脱水、60～120℃下干燥处理，得到直径为200～500nm、长度为10～100μm，长径比为20～500的纳米硼酸铜晶须粉体，其接触角为100～140度。
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