[发明专利]Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法

摘要

Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法属于半导体发光材料技术领域。现有制备Mg掺杂ZnO纳米材料的分子束外延、金属有机化学气相沉积和磁控溅射等方法需要使用昂贵设备，并且能耗大、成本高、操作复杂，原料的利用率低，可重复性差。本发明采用电化学沉积方法制备Mg掺杂ZnO纳米线，首先配置先驱体溶液，锌源为醋酸锌，镁源为醋酸镁，六次甲基四胺作为表面活性剂，所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等；然后进行电化学沉积，将先驱体溶液转入三电极体系，其中以导电衬底作为工作电极，箔片作为辅助电极，Ag/AgCl作为参比电极，沉积温度为80～90℃，沉积时间为0.5～1.0h，沉积电位为-0.8～-1.0V；最后做后处理，将产物冲洗、干燥。

主权项

1、一种Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法，其特征在于，采用电化学沉积方法制备Mg掺杂ZnO纳米线，其步骤为：(1)配置先驱体溶液，锌源为醋酸锌，镁源为醋酸镁，六次甲基四胺作为表面活性剂，所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等；(2)电化学沉积，将先驱体溶液转入三电极体系，其中以导电衬底作为工作电极，箔片作为辅助电极，Ag/AgCl作为参比电极，沉积温度为80～90℃，沉积时间为0.5～1.0h，沉积电位为-0.8～-1.0V；(3)后处理，将产物冲洗、干燥。