[发明专利]稀土配位聚合物大孔材料和制备方法无效
| 申请号： | 200810052025.0 | 申请日： | 2008-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101235157A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈铁红;沈铸睿 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C08J9/00 | 分类号： | C08J9/00;C08L77/00;B01J32/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071天津市卫津路94*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是一种稀土配位聚合物大孔材料和制备方法。以稀土盐或稀土氧化物为金属离子来源，以L－天冬酰胺作为有机配体，采用水热合成的方法制备稀土配位聚合物大孔材料{Ln[(Asp)m (Asn)n]}p，其中Ln＝La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Dy，Er及其中的两种或多种混合；Asp为天冬氨酸，Asn为天冬酰胺。该稀土配位聚合物具有大孔结构，大孔孔径为1～100μm。本发明方法制备的稀土配位聚合物大孔材料产率高，大孔孔道有利于物质传输。对环境友好，简单易行，成本低，易于大规模生产。在催化，光学，色谱等领域具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 配位聚合 物大孔 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种稀土配位聚合物大孔材料，其特征在于所述的稀土配位聚合物的通式为：{Ln[(Asp)m(Asn)n]}p，其中Ln＝La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Dy，Er及其中的两种或多种混合；Asp为天冬氨酸，Asn为天冬酰胺。XRD谱图显示为非晶材料。主要红外吸收峰为：1680cm-1，1580cm-1，1410cm-1，1310cm-1，670cm-1，540cm-1。该稀土配位聚合物具有大孔结构，大孔孔径孔径1～100μm。
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