[发明专利]PERL(Passivated Emitter Rear Locally Diffused)型硅基发光管无效
| 申请号： | 200810052779.6 | 申请日： | 2008-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101257078A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李晓云;郭维廉;牛萍娟;刘伟;杨广华;高铁成 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300160天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是一种与CMOS工艺兼容的PERL(Passivated Emitter Rear Locally Diffused)型硅基发光管器件的结构，该结构的特征在于：所设计的PERL型硅基发光管为侧面小面积发光结构，单侧注入n型层形成p－n结结构，在p－n结正向注入模式下实现硅基发光，发光面采用倒金字塔绒面结构，其与金属背反射电极共同形成光陷阱，提高发光功率。铝正负电极在器件的上下两侧，左侧为铝背反射背电极，右侧为小面积发光，便于与硅基CMOS集成电路结合。同时在电极与半导体材料之间用高质量的SiO2钝化，减少表面复合，增强辐射复合几率。电极接触孔处采用重掺杂，减小接触电导损失。这种新型的硅基发光管结构在下一代集成电路中作为芯片之间或芯片内部的光互连具有非常广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | perl passivated emitter rear locally diffused 型硅基 | ||
【主权项】：
1.一种PERL型硅基发光管，结构包括Al正负电极、Al背反射电极、倒金字塔绒面结构、轻掺杂n型层、高质量的SiO2钝化层、重掺杂电极接触孔。
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