[发明专利]具有超高介电常数的高频介质陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有超高介电常数的高频介质陶瓷，其原料组分及质量百分比含量为Ag₂O 38～45％、Nb₂O₅ 18～47％、Ta₂O₅ 8～44％，在此基础上外加质量百分比含量为0.5～6.0％的CaF₂。制备步骤为：(1)配料、球磨；(2)烘干；(3)煅烧、合成(Nb，Ta)₂O₅前驱体；(4)二次配料，经球磨、煅烧，形成熔块Ag(Nb，Ta)O₃；(5)添加CaF₂，经球磨、烘干、制得陶瓷粉料；(6)压制生坯；(7)烧结制得介质陶瓷。本发明在中温下烧结(1060～1150℃)，通过添加剂的改变和组分的变化极大地提高了材料的介电常数(ε＞1000)，降低了其介质损耗(tanδ＜10×10^－4)，完善了该陶瓷材料的介电性能。本发明应用于电子信息材料与电子元器件领域。

主权项

1.一种具有超高介电常数的高频介质陶瓷，其原料组分及质量百分比含量为Ag2O38～45％、Nb2O5 18～47％、Ta2O5 8～44％，形成熔块Ag(Nb，Ta)O3，在此基础上外加质量百分比含量为0.5～6.0％的CaF2。