[发明专利]一种在硅片上制备纳米棒阵列的方法无效
| 申请号： | 200810053809.5 | 申请日： | 2008-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101625973A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 张艳富;俞晓正;范洪涛;许博 | 申请（专利权）人： | 国家纳米技术与工程研究院 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/3065;C30B33/12;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300457天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种在硅片上制备纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：将清洗处理后的洁净的硅片放入反应离子刻蚀机进行刻蚀氧化，使硅片表面生成二氧化硅层；将刻蚀氧化后的硅片放入磁控溅射设备进行银颗粒溅射沉积，使硅片表面形成掩膜；待温度降至40℃以下后将硅片取出，再次将硅片放入反应离子刻蚀机进行刻蚀，即可制得纳米棒阵列。本发明的优点是：该方法具有工艺简单、速度快、成本低、易于大面积制备等明显优势；制备的纳米棒阵列形貌均匀，其长度约为200nm，平均直径为20nm～80nm且可控，在存储器、分子实验、新型LED研发、敏感器件研发、显示器件研发、纳米压印模板制作等领域都有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 制备 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅片上制备纳米棒阵列的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将清洗处理后的洁净的硅片放入反应离子刻蚀机进行刻蚀氧化，使硅片表面生成二氧化硅层；2)将刻蚀氧化后的硅片放入磁控溅射设备进行银颗粒溅射沉积，使硅片表面形成掩膜；3)待温度降至40℃以下后将硅片取出，再次将硅片放入反应离子刻蚀机进行刻蚀，即可制得纳米棒阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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