[发明专利]低损耗高频介质陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 200810054136.5 | 申请日： | 2008-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101343179A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;廖擎玮;张平;王洪茹 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损耗高频介质陶瓷及其制备方法，其组成及摩尔百分比含量为：xCaO－(1－x)ZnO－Nb2O5－ySnO2－(2－y)TiO2，其中0≤x≤0.16，0≤y≤0.1。制备步骤为：(1)配料、球磨；(2)烘干、预烧、合成前驱体；(3)造粒、压制成型(4)烧成。本发明提供了一种制备工艺简单、烧结温度低(1100℃以下)、介电损耗低、介电常数相对较高、同时保持了优异的介电性能的高频介质陶瓷，应用于电子信息材料与元器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 高频 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低损耗高频介质陶瓷，其特征在于，以ZnO-Nb2O5-2TiO2为基料，SnO2和CaO为添加剂，按配方通式：xCaO-(1-x)ZnO-Nb2O5-ySnO2-(2-y)TiO2配料，其中0＜x≤0.16，0＜y≤0.1。
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