[发明专利]高质量、高收率的碳纳米管阵列制备方法及装置有效
申请号: | 200810054298.9 | 申请日: | 2008-08-26 |
公开(公告)号: | CN101348901A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 崔屾;侯炜鑫;程刚;张顺通;宫娜娜 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种制备高质量、高收率的碳纳米管阵列(CNTAs)的方法及装置。采用气雾剂-CVD方法,以环己烷为碳源。(1)首先分别对催化剂母体二茂铁与和环己烷碳源进行纯化;(2)配制含有质量百分比2-6%浓度的催化剂母体的反应溶液,然后转移入喷雾瓶中;(3)密封反应系统,借助真空泵,用氩气抽洗、置换其内的空气;(4)加热石英反应管至700-900摄氏度,调节流量计至氩气流量为3-9立升每分钟,使反应溶液直接喷射入石英反应管,持续喷射4-15分钟,即可得到CNTAs粗产物。本发明(1)以环己烷为碳源,制备的CNTAs的纯度高,平均生长速度快,CNTs的取向性好;产物收率首次达到了约20%,CNTAs的生长速度快,平均生长速度可以达到每分钟25微米以上。 | ||
搜索关键词: | 质量 收率 纳米 阵列 制备 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种高质量、高收率的碳纳米管阵列制备方法,采用气雾剂-CVD方法,其特征是以环己烷为碳源。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的