[发明专利]单片集成非制冷红外/紫外双色探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810055128.2 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101586985A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李献杰;赵永林;蔡道民;齐丽芳;曾庆明;李言荣;吴传贵;张万里 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01J5/10 | 分类号： | G01J5/10;H01L27/144;H01L21/82;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成非制冷红外/紫外双色探测器及其制造方法，属于光电探测器领域，它包括衬底，其紫外敏感薄膜结构与红外敏感薄膜结构集成在同一衬底材料上，从衬底向上依次为缓冲层、紫外敏感层、隔离层、红外探测结构；本发明在同一衬底上生长SiC、GaN系或AlxGa1-xN系等宽带隙高温半导体紫外敏感薄膜结构和铁电、氧化钒或非晶硅等非制冷红外敏感材料结构，用一种相对简单的材料生长方法和加工工艺实现了非制冷红外/紫外双色探测器的单片集成，拓展了响应频谱的范围，提高对目标的探测和识别概率，而且应用中无需低温要求，减小了器件体积，降低了加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 制冷 红外 紫外 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单片集成非制冷红外/紫外双色探测器，它包括衬底，其紫外敏感薄膜结构与红外敏感薄膜结构集成在同一衬底材料上，其特征在于：从衬底向上依次为缓冲层、紫外敏感层、隔离层、红外探测结构，所述隔离层覆盖住紫外敏感层的一部分，红外探测结构在隔离层之上，所述紫外敏感层的另一部分上面置有叉指电极，与紫外敏感层构成紫外探测结构。
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