[发明专利]一种用于超高密度垂直磁记录介质的制备方法无效
| 申请号： | 200810056065.2 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101217041A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 于广华;冯春;滕蛟;李宝河;李明华 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/851 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于超高密度垂直磁记录介质的制备方法。利用磁控溅射方法，在加热的MgO(001)单晶基片上沉积[FePt(5～20)/Au(2.5～ 7)]5～10多层膜。基片温度为100～450℃，溅射室本底真空为1×10－5～7× 10－5Pa，溅射时氩气压为0.9～1.6Pa。沉积完毕后，将薄膜降至室温，再放入真空退火炉中进行热处理，退火温度为470～700℃，退火时间为20分钟～4小时，退火炉本底真空度为 2×10－5～7×10－5Pa。所制备出的L10－FePt薄膜具有垂直膜面取向、磁性能优良、颗粒尺寸小于10nm等特点，适合应用于超高密度垂直磁记录介质。本方法还具有成本低，制备简单等优点，适合于工业应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 超高 密度 垂直 记录 介质 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于超高密度垂直磁记录介质的制备方法，利用磁控溅射，其特征是在干净的MgO(001)单晶基片上交替沉积[铁铂FePt(5～20)/金Au(2.5～7)]5～10 多层膜，基片温度为100～450℃，溅射室本底真空度为1×10-5～7×10-5Pa，溅射时氩气压为0.9～1.6Pa；沉积完毕后，将薄膜降至室温，再放入真空退火炉中进行热处理，退火温度为470～700℃，退火时间为20分钟～4小时，退火炉本底真空度为2×10-5～7×10-5Pa。
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