[发明专利]一种制备浸润性可控的氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 200810056547.8 申请日: 2008-01-22
公开(公告)号: CN101219804A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 郭敏;马腾;张梅 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C01G9/02 分类号: C01G9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种制备浸润性可控的氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法,属于纳米材料领域。本发明是采用醋酸锌溶胶通过甩胶工艺在基底上制备胶膜,退火后生成晶种膜,将基底置于硝酸锌和六亚甲基四氨的混合前驱液中,于90~100℃水热沉积3~5h,可在基底上制备得到氧化锌纳米棒阵列。同时,通过控制胶体浓度,甩胶次数,退火温度和时间,不但实现了氧化锌纳米棒阵列密度的可控,以及阵列浸润性的可控,而且克服了阵列浸润性不稳定的问题。
搜索关键词: 一种 制备 浸润 可控 氧化锌 纳米 阵列 薄膜 方法
【主权项】:
1.一种制备浸润性可控的氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法,包括胶体合成、甩胶、胶膜退火、前驱液制备、水热合成等步骤,其特征在于,制备过程为:1)胶体合成:将醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)溶解到乙醇胺(NH2OCH2CH2OH)和乙二醇独甲醚(CH3OCH2CH2OH)中,形成混合液,保持胶体中醋酸锌和乙醇胺等摩尔比,将混合液于40~80℃磁力搅拌20~60min,得到胶体浓度范围为1~0.0001mol/L的胶体;2)甩胶工艺:将胶体滴到ITO基底上,然后以2000~4000r/min的甩胶速度甩胶20~60s,在ITO的基底上形成一层胶膜;3)退火处理:将带有胶膜的基底放置在马弗炉中退火,退火温度300~700℃,退火时间5~60min,形成氧化锌晶种膜;4)前驱液制备:将0.1mol/L的Zn(NO3)2溶液和0.1mol/L的(CH2)6N4以等体积混合,得到Zn(NO3)2和(CH2)6N4的混合溶液;5)水热合成:反应釜装填度50~80%,将带有氧化锌晶种层的基底浸入前驱液,密封好后放置在烘箱中于90~100℃水热沉积3~5h,在ITO基底上制备出氧化锌纳米棒阵列。
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