[发明专利]一种工艺终点控制方法和装置有效
| 申请号： | 200810056599.5 | 申请日： | 2008-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101494160A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张善贵 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 琦;王诚华 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种工艺终点控制方法，搜索光谱信号中的波峰或平地，将所述搜到的波峰或平地作为拐点；所述波峰是指在其左右两侧连续一个以上的光谱信号强度均小于其自身强度的光谱信号；所述平地是指在其左侧连续一个以上的光谱信号强度均小于其自身强度，且其右侧连续一个以上的光谱信号强度只作符合要求的小幅波动的光谱信号；根据所述搜索到的拐点，确定所述光谱信号的工艺终点时间。本发明实施例同时公开了一种工艺终点控制装置。应用本发明实施例所述的方法和装置，能够准确方便地确定出较小暴露面积(Low Open Area)工艺的终点时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工艺 终点 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种工艺终点控制方法，其特征在于，该方法包括：搜索光谱信号中的波峰或平地，将所述搜到的波峰或平地作为拐点；所述波峰是指在其左右两侧连续一个以上的光谱信号强度均小于其自身强度的光谱信号；所述平地是指在其左侧连续一个以上的光谱信号强度均小于其自身强度，且其右侧连续一个以上的光谱信号强度只作符合要求的小幅波动的光谱信号；根据所述搜索到的拐点，确定所述光谱信号的工艺终点时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
