[发明专利]基于聚合物相变温度响应性的浸润性聚合物开关薄膜的制备方法无效
申请号: | 200810056957.2 | 申请日: | 2008-01-28 |
公开(公告)号: | CN101225180A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 胡书新;曹新宇;李超;江雷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L67/00;C08L71/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 李柏 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及温度响应性聚合物薄膜的制备方法,特别是涉及基于聚合物相变温度响应性的浸润性聚合物开关薄膜的制备方法。本发明利用聚合物分子在相变前后分子聚集状态的变化,会引起其宏观物理性质的变化的原理,在平滑或具有微米、纳米结构的粗糙表面上通过简单的表面涂覆技术,使材料表面具有浸润性可逆转变的温度响应性。选取分子内同时含有亲水基团与疏水基团,具有相变点在20℃~100℃的聚合物溶于纯有机溶剂中,然后涂覆于平滑或粗糙化的固体基底表面。此类聚合物开关薄膜表面的浸润性随环境温度的变化而变化,聚合物相转变温度以下,材料表面疏水;聚合物相转变温度以上,材料表面亲水。基体表面的粗糙度对此浸润性变化具有放大效果。 | ||
搜索关键词: | 基于 聚合物 相变 温度 响应 浸润 开关 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于聚合物相变温度响应性的浸润性聚合物开关薄膜的制备方法,其特征是:该方法包括以下步骤:1)选取分子内同时含有亲水基团与疏水基团,具有相变点在20℃~100℃的聚合物,溶于易挥发的对聚合物有良好溶解能力的纯有机溶剂中,配制成聚合物的稀溶液;2)将要修饰的固体基底表面进行清洁化,得到表面平滑的固体基底;或将要修饰的固体基底表面进行清洁化和进行微米或纳米尺度的粗糙化,得到表面粗糙的固体基底;3)将步骤1)得到的聚合物的稀溶液滴于需要修饰的步骤2)得到的平滑的固体基底上,或表面粗糙的固体基底上;在干燥器中保存,使聚合物的稀溶液在固体基底的表面充分铺展;再放入真空干燥器中抽真空,以除去固体基底表面多余的有机溶剂,并于80℃~120℃的温度下对真空干燥箱抽真空,以完全除去残留在固体基底表面的有机溶剂。
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