[发明专利]一种智能卡封装方法及一种智能卡的封装结构无效
| 申请号： | 200810057323.9 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101221630A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 任战波;张俊超 | 申请（专利权）人： | 大唐微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 北京信远达知识产权代理事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SIM卡的封装方法，包括步骤：提供一绝缘层；在绝缘层上形成第一金属层；确定芯片在绝缘层上不具有第一金属层的一面的连线位置，并在所述连线位置形成第二金属层；将芯片黏结在绝缘层上第二金属层所在的一面；用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层，使芯片和第一金属层导电互连。本发明增加第二金属层，用第二金属层代替了部分金属连线，降低了金属连线的长度，保证了金属线连接的强度，使得贴片区域最大化，最大的兼容了可封装面积，并且采用灌注的塑封工艺，克服了现有技术存在的大容量SIM卡封装问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 智能卡 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种智能卡的封装方法，步骤包括：提供一绝缘层；在绝缘层上形成第一金属层；确定芯片在绝缘层上不具有第一金属层的一面的连线位置，并在所述连线位置形成第二金属层；将芯片黏结在绝缘层上第二金属层所在的一面；用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层，使芯片和第一金属层导电互连。
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