[发明专利]一种含卤素的高温超导体晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200810057518.3 | 申请日： | 2008-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101307489A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘青清;李凤英;靳常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B1/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种含卤素的高温超导晶体材料及其高压制备方法，该含卤素的高温超导晶体材料为Sr2CuO2+δCl2－y，该晶体顶角氧掺杂，其中0＜δ＜2，0＜y＜2，a轴晶格参数3.8－3.94，其载流子为p型载流子。本发明还提供了一种Sr2CuO2+δCl2－y晶体的高压合成方法，该方法采用顶角氧掺杂机制，利用SrO2作氧源，通过控制氧压和改变氯含量，用前驱体方法在高温高压下制备出了该p型高温超导晶体材料。该材料具有很好的二维特性，所以是研究CuO2平面电子结构的理想材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤素 高温 超导体 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Sr2CuO2+δCl2-y高温超导体晶体，该晶体顶角氧掺杂且具有异常大的a轴晶格参数，其中0＜δ＜2，0.4≤y≤1.2，a不小于![]()
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810057518.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
