[发明专利]一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备有效
申请号: | 200810057524.9 | 申请日: | 2008-02-02 |
公开(公告)号: | CN101499407A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 徐亚伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00;C23C16/455;C30B25/14;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张天舒;陈 源 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种气体分配装置,其包括从上至下依次层叠设置的支撑板、阻流板和喷淋头电极。所述支撑板上设置有进气通道,喷淋头电极上开设有排气通道。其中,该阻流板的至少一个表面上设置有阻流板内凹部分,且该阻流板内凹部分设置有纵向贯通该阻流板的通孔,以使来自该支撑板进气通道的气体在该阻流板内凹部分进行扩散后,再经由该通孔而输送至喷淋头电极,并通过该喷淋头电极上的排气通道输送至反应腔室。此外,本发明还公开一种应用上述气体分配装置的半导体处理设备。本发明提供的气体分配装置和半导体处理设备能够将诸如工艺气体等的气体较为均匀地分配到反应腔室内,从而获得较为均匀的等离子体分布,进而获得较为均匀的加工/处理结果。 | ||
搜索关键词: | 一种 气体 分配 装置 应用 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】:
1. 一种气体分配装置,用于将气体均匀地分配至反应腔室内,其包括从上至下依次层叠设置的支撑板、阻流板和喷淋头电极,所述支撑板上设置有进气通道,用于将气体引入到所述气体分配装置内;所述喷淋头电极上开设有排气通道,其特征在于,所述阻流板的至少一个表面上设置有阻流板内凹部分,且所述阻流板内凹部分设置有纵向贯通所述阻流板的通孔,以使来自所述支撑板进气通道的气体在所述阻流板内凹部分进行扩散后,再经由所述通孔而输送至喷淋头电极,并通过所述喷淋头电极上的排气通道输送至反应腔室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造