[发明专利]InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法

摘要

本发明提出一种在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT(高电子迁移率晶体管)的制作方法，此方法适用于需要同时集成增强型HEMT和耗尽型HEMT的InP基集成电路。其特征在于：a)在InAlAs有源层和n⁺InGaAs帽层之间生长双AlAs阻挡层；b)采用选择腐蚀在两层AlAs阻挡层之间形成两种不同厚度、不同结构的势垒层；c)在两种不同的势垒层上分别制作两种不同结构的栅电极，分别形成增强型和耗尽型的HEMT。

主权项

1.一种在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)采用半绝缘材料作为衬底；2)在衬底上生长缓冲层；3)在缓冲层上生长电子沟道层；4)在电子沟道层上生长空间层；5)在空间层上生长掺杂层；6)在掺杂层上生长第一层势垒层；7)在第一层势垒层上生长第一层腐蚀阻挡层；8)在第一层腐蚀阻挡层上生长第二层势垒层；9)在第二层势垒层上生长第二层腐蚀阻挡层；10)在第二层腐蚀阻挡层上生长帽层。