[发明专利]一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于将纯度为99.99％的Ta₂O₅和SnO₂粉末按照重量比1∶99～10∶90充分混合，压制成型后，在1500～1650℃下烧结成钽掺杂氧化锡溅射靶材，然后利用磁控溅射法制备出不同钽含量的掺杂氧化锡透明导电薄膜。所得薄膜具有表面平坦致密、膜层厚度均匀、光电性能优异、制备工艺简单、成本低廉及易于实现工业化生产等特点；同时还具有良好的力学性能、化学耐久性、高温热稳定性及生物相容性。该薄膜不仅可用于平板显示器、太阳能电池、透明电磁屏蔽和抗静电装置，还能用于对薄膜毒性、生物相容性有特殊要求的电阻式触摸屏与生物传感器等。

主权项

1、一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于经过下列工艺步骤：(1)将纯度为99.99％的氧化钽Ta2O5和氧化锡SnO2粉末充分混合，在60～80Mpa的压强下压制成坯后，放入高温烧结炉，在空气中1500～1650℃下烧结3～5小时，烧结成钽掺杂氧化锡溅射靶材；(2)将所制得的钽掺杂氧化锡溅射靶材用分析纯丙酮和去离子水充分清洗，然后在120～140℃保温2～3小时，去除表面油污等杂质；(3)采用普通载玻片作为薄膜基底材料，在溅射前先用分析纯丙酮和去离子水清洗，之后在80～90℃保温1～2小时，以去除表面油污等杂质；(4)将经步骤(2)和(3)处理过的溅射靶材及玻片放入磁控溅射仪中，抽真空使得溅射室本底真空度达到1×10-4Pa，然后持续充入纯度为99.999％的氩气和99.99％的氧气的混合气体，接着对靶材预溅射5min，去除表面杂质后，保持玻璃基底温度25～100℃，再对靶材进行溅射，制得溅射态薄膜；(5)将(4)步骤所得薄膜放入热处理炉中，在温度为400～600℃，保温0.5～3小时的条件下进行热处理，之后将样品冷却至室温，即得钽掺杂氧化锡透明导电薄膜。