[发明专利]表面改性的羟基磷灰石晶须及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 200810058678.X | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101327167A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 陈庆华;张文云;高伟;袁艳波 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | A61K6/033 | 分类号： | A61K6/033 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650093云南省昆明市*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对羟基磷灰石晶须进行表面改性并将其作为牙科聚合物基充填修复材料中无机填料的方法。在羟基磷灰石晶须的乙醇悬浮液中加入正硅酸乙酯，并加入水使其水解，制备出表面改性羟基磷灰石晶须，并根据需要利用含氟化合物引入或不引入F－离子，经处理后的羟基磷灰石晶须作为聚合物基充填修复材料中无机填料加入树脂中。经本方法制得的新型牙科聚合物基填充、修复材料，与临床广泛应用的修复材料相比，其在满足强度要求的同时，外观更加美观，并可以在口腔内稳定释放钙、磷及氟离子，有效防止牙齿的二次龋化。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 改性 羟基 磷灰石 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1、一种表面改性羟基磷灰石晶须，其特征在于：所述羟基磷灰石晶须长度为5～150um，直径为0.1～5um，长径比为10～150，晶须表面包覆有Si-O网络，其硅含量为晶须总质量的1wt％～40wt％。
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