[发明专利]高饱和磁通密度低损耗软磁铁氧体材料及制备方法有效
| 申请号： | 200810059171.6 | 申请日： | 2008-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101483092A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 颜冲;吕东华;雷国莉;包大新 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/34 | 分类号： | H01F1/34;C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118浙江省东阳*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种软磁铁氧体材料及制备方法，尤其是指一种高饱和磁通密度低损耗软磁铁氧体材料及制备方法。本发明主要是针对现有技术所存在的饱和磁通密度低，损耗大等问题，通过改良成分，提供一种在高温下饱和磁通密度高、损耗低、成本低、能适应现有大生产的高饱和磁通密度低损耗软磁铁氧体材料及制备方法。本发明主要技术方案为：主成分为53.4～54.6mol％的Fe2O3、2～9mol％的ZnO和37.6～43.4mol％的MnO，副成分为150～200ppm的SiO2，600～1200ppm的CaCO3，150～250ppm的ZrO2，150～200ppm的Nb2O5，100～200ppm的Na2O。 | ||
| 搜索关键词： | 饱和 密度 损耗 磁铁 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种高饱和磁通密度低损耗软磁铁氧体材料，其组份为按Fe2O3、MnO、ZnO总量计算的含有53.4～54.6mol％的Fe2O3、2～9mol％的ZnO和37.6～43.4mol％的MnO，并且含有以下一种或几种组合的副成分：按SiO2计算的含量为150～200ppm的SiO2，按CaCO3计算的含量为600～1200ppm的CaCO3，按ZrO2计算的含量为150～250ppm的ZrO2，按Nb2O5计算的含量为150～200ppm的Nb2O5，按Na2O计算的含量为100～200ppm的Na2O，以上副成分的含量为相对于Fe2O3、MnO、ZnO的总量以重量百分比计算。
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