[发明专利]用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法

摘要

本发明公开了用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法，步骤包括：将可溶性半导体纳米晶材料溶于溶剂，制得纳米晶溶液；采用旋涂法或喷墨打印法将纳米晶溶液加工在衬底上，形成均匀的纳米晶薄膜；将纳米晶薄膜在100－350℃温度下退火处理10－60分钟，然后在纳米晶薄膜上蒸镀电极。本发明方法与传统的气相高温生长半导体薄膜紫外探测器相比，无需真空设备，成膜温度低、制备工艺简单，可大幅度降低紫外探测光电器件的成本，并可开发大尺寸器件/可弯曲的“柔性器件”。由于纳米晶具有超大比表面积，因此制得的用于紫外探测的纳米晶薄膜器件具有暗电流低，灵敏度高等特点。

主权项

1.用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法，其特征是包括以下步骤：1)将可溶性半导体纳米晶材料溶于溶剂，配制质量浓度为2-200mg/ml的纳米晶溶液；2)采用旋涂法或喷墨打印法将纳米晶溶液加工在衬底上，形成均匀的纳米晶薄膜；3)将纳米晶薄膜在100-350℃温度下退火处理10-60分钟，然后在纳米晶薄膜上蒸镀电极。