[发明专利]基于狭缝波导的马赫-曾德型硅光波导开关无效
申请号: | 200810061435.1 | 申请日: | 2008-04-30 |
公开(公告)号: | CN101276068A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 肖司淼;王翔;王帆;郝寅雷;江晓清;王明华;杨建义 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G02F1/065 | 分类号: | G02F1/065;G02B6/35;H04B10/12 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于狭缝波导的马赫-曾德型硅光波导开关。在经过输入端实现功分功能的3dB耦合器分波后,由第一组两个模斑转换结构分别连接到两条狭缝波导结构的干涉臂,然后经第二组两个模斑转换结构,连接到输出端干涉耦合器。通过前后两组模斑转换结构的不同组合,形成任意结构的1×2和2×2光开关。本发明引入狭缝波导,并在狭缝中填充了低折射率的电光材料,扩大了调制手段,变传统的载流子注入的间接电光调制为直接电光调制;此外采用狭缝两侧自然电隔离的硅波导作为电极,缩短了电极与调制区的间距,以上两个特点均能提高开关的调制效率。整个结构尺寸紧凑,兼容于CMOS加工工艺,为单片集成高速电光开关的实现提供了一种新的途径。 | ||
搜索关键词: | 基于 狭缝 波导 马赫 曾德型硅光 开关 | ||
【主权项】:
1、一种基于狭缝波导的马赫-曾德型硅光波导开关,其特征在于:包括输入端实现功分功能的3dB耦合器(1)、输出端干涉耦合器(4),两条狭缝波导结构的干涉臂(3)和两组模斑转换结构(2);输入端实现功分功能的3dB耦合器(1)分波后,经第一组两个模斑转换结构(2)分别连接到两条狭缝波导结构的干涉臂(3),再经第二组两个模斑转换结构(2)后,连接到输出端干涉耦合器(4)。
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