[发明专利]磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法

摘要

磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，它涉及晶体的抛光方法。它解决了现有超精密加工方法加工KDP晶体时晶体表面会产生小尺度波纹和粒子嵌入、晶体表面难以清洗以及加工效率低、成本高的问题。本发明方法为：一、采用KDP晶体抛光装置；二、采用现有切削技术对KDP晶体(4)坯料的待抛光面进行预处理；三、对载样盘(5)纵向施加一定压力；四、使潮解抛光液或水蒸气潮解经步骤二预处理后的KDP晶体表面；五、启动载样盘(5)的控制开关和抛光盘(3)的控制开关，对经步骤二预处理后的KDP晶体的表面进行潮解抛光。本发明的方法新颖、独特、简单、加工效率高、成本低，加工的KDP晶体表面无小尺度波纹，无粒子嵌入，容易清洗，表面粗糙度达到1～8nm。

主权项

1、磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，其特征在于该方法的步骤如下：步骤一、KDP晶体抛光装置由抛光垫(1)、潮解抛光液滴加器(2)、抛光盘(3)和载样盘(5)组成，抛光垫(1)设在抛光盘(3)的上表面上，载样盘(5)设在抛光盘(3)的上方，载样盘(5)和抛光盘(3)分别与转动机构连接，并且相向设置；步骤二、将KDP晶体(4)坯料固定在载样盘(5)的底端面上，采用现有切削技术对KDP晶体(4)坯料的待抛光面进行预处理；步骤三、启动压力控制开关对载样盘(5)纵向施加压力，压力值根据KDP晶体待抛光面尺寸大小而定；步骤四、通过潮解抛光液滴加器(2)向KDP晶体(4)坯料下方的抛光垫(1)的上表面滴加潮解抛光液，潮解抛光液由水和乙醇配制而成，水和乙醇的体积比为1～3∶7～9；步骤五、启动载样盘(5)的控制开关和抛光盘(3)的控制开关，使载样盘(5)和抛光盘(3)相对旋转，对经步骤二预处理后的KDP晶体的表面进行潮解抛光，在抛光过程中对KDP晶体抛光表面用原子力显微镜AFM或干涉仪进行检测，当AFM或干涉仪检测得到的KDP晶体抛光表面的粗糙度值为1～8nm时，即完成对KDP晶体的抛光。