[发明专利]碳/碳化硅与铌或铌合金用复合箔片钎焊的方法有效

专利信息
申请号: 200810064135.9 申请日: 2008-03-19
公开(公告)号: CN101239420A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: 张丽霞;刘玉章;冯吉才 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: B23K20/16 分类号: B23K20/16;B23K20/02;B23K20/24
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人: 金永焕
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 碳/碳化硅与铌或铌合金用复合箔片钎焊的方法,它涉及碳/碳化硅与铌或铌合金的钎焊方法。本发明解决了现有连接方法只适用于碳/碳化硅复合材料本体的连接,且存在工艺复杂、接头的抗剪强度低及连接后的接头无法在500℃以上的温度下应用的问题。本发明的步骤如下:一、对待焊材料表面进行清理;二、进行焊件夹装;三、将夹装好的焊件进行钎焊,然后降温,即完成钎焊。本发明工艺过程简单,接头的抗剪强度高,在室温至600℃时的抗剪强度为70~120MPa,在800℃时接头的抗剪强度高达50~70MPa,适合应用到高温技术领域。
搜索关键词: 碳化硅 合金 复合 钎焊 方法
【主权项】:
1、碳/碳化硅与铌或铌合金用复合箔片钎焊的方法,其特征在于碳/碳化硅与铌或铌合金用复合箔片钎焊的方法按以下步骤实施:一、对Ti箔片、Ni箔片、碳/碳化硅复合材料及铌或铌合金表面进行清理;二、Ti箔片和Ni箔片交替叠放形成2n层箔片的复合箔,然后按碳/碳化硅复合材料、复合箔及铌或铌合金的结构进行夹装,其中复合箔一端的Ti箔片与铌或铌合金接触,复合箔另一端的Ni箔片与碳/碳化硅复合材料接触;三、将夹装好的焊件置于真空炉中,以0.001~0.1MPa压力固定焊件,然后在真空度为1×10-3~6×10-3Pa的真空条件下,以10~30℃/min的速度升温到1100~1300℃,保温5~30min,再以5~20℃/min的速率降温到300~500℃后随炉冷却至室温,即完成钎焊;步骤二中1≤n≤X;步骤二中Ti箔片和Ni箔片厚度比为1~2∶1,复合箔的长与宽均比碳/碳化硅复合材料及铌或铌合金的待焊表面大1~3mm。
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