[发明专利]在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法无效
| 申请号： | 200810064640.3 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101307431A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 马欣新;李金龙;孙明仁;唐光泽 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23F4/00;B01J21/06;A61L9/22 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 金永焕 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法，它涉及一种制备二氧化钛可见光光催化层的方法。它解决了现有技术制备的TiO2光催化材料会增加空间站的发射重量及材料发生脱落的问题。方法：1.钛及钛合金进行氧等离子体离子注入处理；2.氦等离子体离子注入处理；3.退火处理；4.氩等离子体剥蚀，得表面形成微孔的钛及钛合金；5.氮离子注入处理，即在钛及钛合金基体上制备得到氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层。本发明所得材料不发生脱落，不增加空间站的发射重量。 | ||
| 搜索关键词： | 钛合金 基体 制备 掺杂 微孔 氧化 可见光 光催化 方法 | ||
【主权项】：
1、在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法，其特征在于在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法按以下步骤实现：一、对钛及钛合金进行氧等离子体离子注入处理，在注入电压为10～30kV的条件下注入3×1017～8×1017离子/cm2；二、氦等离子体离子注入分三步，第一步在注入电压为8～12kV的条件下注入5×1017～7×1017 离子/cm2，第二步在注入电压为28～32kV的条件下注入2×1017～4×1017离子/cm2，第三步在注入电压为48～52kV的条件下注入2×1017～4×1017离子/cm2；三、退火处理，在500～600℃的条件下退火1～2h，然后在600～700℃的条件下退火1～2h；四、在基体偏压为600～800V的条件下进行氩等离子体剥蚀3～5h，得表面形成微孔的钛及钛合金；五、氮离子注入处理，注入电压为30～50kV，注入时间为10～20min，即在钛及钛合金基体上制备得到氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层。
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