[发明专利]In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200810064777.9 | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101328612A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 徐衍岭;刘维海;王佳;王锐 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 金永焕 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备掺杂的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CuO和In2O3制成。方法：一、称取所需成分；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体；四、极化处理；五、氧化处理或还原处理，即得In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素铟(In)、铁(Fe)和铜(Cu)，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力和响应时间。 | ||
| 搜索关键词： | in fe cu 掺杂 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体，其特征在于In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CuO和In2O3制成；其中Li2CO3和Nb2O5 的摩尔比为0.85～1.38∶1，Fe2O3的掺杂浓度为0.073～0.077％(质量)，CuO的掺杂浓度为0.018～0.022％(质量)，In2O3的掺杂浓度为0.5～1.5mol％。
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