[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法、布线结构及其制造方法有效
申请号: | 200810065652.8 | 申请日: | 2008-01-25 |
公开(公告)号: | CN101494226A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 陈文桦 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
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地址: | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法,以及一种布线结构及其制造方法。该薄膜晶体管基板包括一绝缘基底、多条第一金属导线、多条第二金属导线和多条驱动线。在绝缘基底上界定一显示区和一边框区,边框区位于该显示区的外围。多条驱动线位于显示区,第一金属导线与第二金属导线位于边框区并与驱动线相连接。边框区进一步设置有多个绝缘墙,该多个绝缘墙等间距排布,第一金属导线位于绝缘墙上,第二金属导线位于绝缘墙之间的绝缘基底上。该薄膜晶体管基板的边框区的宽度窄,使显示区的面积相应较大。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 布线 结构 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管基板,其包括一绝缘基底、多条第一金属导线、多条第二金属导线和多条驱动线,在该绝缘基底上界定一显示区和一边框区,该边框区位于该显示区的外围,该多条驱动线位于该显示区的绝缘基底上,该第一金属导线与该第二金属导线位于该边框区并的绝缘基底上并与该驱动线相连接,其特征在于:该边框区进一步设置有多个绝缘墙,该多个绝缘墙等间距排布,该第一金属导线位于该绝缘墙上,该第二金属导线位于该绝缘墙之间的绝缘基底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的