[发明专利]硅化铁纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 200810066399.8 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101549869A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 孙海林;姜开利;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/06 | 分类号： | C01B33/06;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅化铁纳米线的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一生长装置，且该生长装置包括一加热炉以及一反应室；提供一定量的铁粉与一生长基底，并将该铁粉与生长基底间隔置入反应室内；向反应室通入硅源气体，并加热至600～1200℃，在生长基底上生长得到硅化铁纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 硅化铁 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅化铁纳米线的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一生长装置，且该生长装置包括一加热炉以及一反应室；提供一定量的铁粉与一生长基底，并将该铁粉与生长基底间隔置入反应室内；向反应室通入硅源气体，并加热至600～1200℃，在生长基底上生长得到硅化铁纳米线。
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