[发明专利]碳纳米管制备方法有效
| 申请号： | 200810066744.8 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101559939A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 戴风伟;姚湲;张长生;白先声;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管的制备方法，其包括以下步骤：提供一铜基底，对铜基底的表面进行抛光处理；将抛光处理后铜基底置于一加热炉中，通入保护气体后加热至400℃-800℃；向加热炉中通入碳源气，在400℃-800℃下生长碳纳米管一段时间。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管的制备方法，其包括以下步骤：提供一铜基底，对铜基底的表面进行抛光处理；将抛光处理后的铜基底置于一反应炉中，通入保护气体后，加热至400℃-800℃；以及向加热炉中通入碳源气与保护气体的混合气体，在400℃-800℃下生长碳纳米管。
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