[发明专利]真空器件的封接装置以及封接方法有效

专利信息
申请号: 200810067427.8 申请日: 2008-05-23
公开(公告)号: CN101587807A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 柳鹏;陈丕瑾;杜秉初;郭彩林;刘亮;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01J9/26 分类号: H01J9/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北京市海淀区清华园1*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种真空器件的封接装置,其包括:一真空室;一前容置室与一后容置室,且该前容置室与后容置室分别通过一第一闸门与一第二闸门与该真空室两端相连通;一抽真空系统分别与该前容置室、后容置室以及真空室相连通;至少一运输装置,可于前容置室、真空室以及后容置室之间运动;其中,该真空器件的封接装置进一步包括:一低熔点玻璃粉熔炉设置于所述真空室上方,该低熔点玻璃粉熔炉通过一输入管道与真空室相连通,所述低熔点玻璃粉熔炉上设有一控制部件;一第一加热装置设置于输入管道与第二闸门之间的真空室内壁上。
搜索关键词: 真空 器件 装置 以及 方法
【主权项】:
1.一种真空器件的封接装置,其包括:一真空室;一前容置室与一后容置室,且该前容置室与后容置室分别通过一第一闸门与一第二闸门与该真空室两端相连通;一抽真空系统分别与该前容置室、后容置室以及真空室相连通;至少一运输装置,可于前容置室、真空室以及后容置室之间运动;其特征在于,该真空器件的封接装置进一步包括:一低熔点玻璃粉熔炉设置于所述真空室上方,该低熔点玻璃粉熔炉通过一输入管道与真空室相连通,所述低熔点玻璃粉熔炉上设有一控制部件;一第一加热装置设置于输入管道与第二闸门之间的真空室内壁上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810067427.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top