[发明专利]一种闪存芯片的物理操作方法有效
| 申请号： | 200810067437.1 | 申请日： | 2008-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101320594A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 深圳市硅格半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/08;G06F12/02 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 518057广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存芯片的物理操作方法，所述闪存芯片具有若干个坏块存储块，所述物理操作方法为，将每个坏块存储块分成若干小块，以块为单位进行擦除操作，以小块为单位进行写操作或者读操作。本发明还提供一种闪存芯片的物理操作方法，其包括：每个坏块存储块分成若干小块，有坏页存在的小块为不可利用，其余的小块为可利用；由两个或两个以上的坏块存储块中的部分或全部的可利用的小块重新组成一个新的存储块；以所述新的存储块为单位进行物理操作。本发明提供闪存芯片的物理操作方法，即通过细分原有的坏块和重新组织原有坏块存储块中的好的存储小块的方法，达到提高闪存芯片的有效使用容量，从而提高其经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 芯片 物理 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种闪存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述闪存芯片具有若干个存储块，其中包括若干个好的存储块与若干个坏的存储块，所述物理操作方法为：将每个坏的存储块分成若干个小块，对于每个存储块，以小块为单位对其中无坏页的小块进行数据的写操作或者读操作。
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