[发明专利]发光二极管的制造方法无效
申请号: | 200810067587.2 | 申请日: | 2008-06-04 |
公开(公告)号: | CN101599442A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 张家寿 | 申请(专利权)人: | 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/58 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:将发光二极管晶片固定于第一粘着层上;形成若干发光二极管晶粒;将该若干发光二极管晶粒固定于第二粘着层上;该若干发光二极管晶粒与第一粘着层分离;将第二粘着层平贴于基座上;把该若干发光二极管晶粒固定于与其相对应的凹座内,利用导线把每一发光二极管晶粒电连接于基座上,并向基座的凹座内填充透光材料,该透光材料分别包覆每一发光二极管晶粒。本发明的发光二极管制造方法中取放发光二极管晶粒动作采用平行方式,即把若干发光二极管晶粒一体组装于基座中,无须逐一将发光二极管晶粒置入基座中,提高了组装速度。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:提供一发光二极管晶片及一第一粘着层,其中该发光二极管晶片包括正面及背面,将发光二极管晶片的背面固定于第一粘着层上;把发光二极管晶片切割形成若干发光二极管晶粒,其中每一发光二极管晶粒包括正面及背面,每一发光二极管晶粒的背面固定于第一粘着层上;提供一第二粘着层,将第二粘着层平贴于所有发光二极管晶粒的正面,使该若干发光二极管晶粒固定于第二粘着层上;将该若干发光二极管晶粒与第一粘着层分离;提供一基座,将第二粘着层平贴于基座上,其中该基座上开设有若干凹座,该若干凹座与该若干发光二极管晶粒一一对应,每一发光二极管晶粒与其相对应的凹座相对;将该若干发光二极管晶粒与第二粘着层分离,使每一发光二极管晶粒分别落入与其对应的凹座内;把该若干发光二极管晶粒固定于与其相对应的凹座内,利用导线把每一发光二极管晶粒电连接于基座上,并向基座的凹座内填充透光材料,该透光材料分别包覆每一发光二极管晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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