[发明专利]防静电TFT基板及其加工工艺有效
| 申请号： | 200810068440.5 | 申请日： | 2008-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101350366A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 胡安春;温景成;吴永光;董坚 | 申请（专利权）人： | 深圳市力合薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L23/60;H01L21/02;H01L21/336;H01L21/84;G02F1/1362;G02F1/1333;C23C14/56;C23C14/54;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司 | 代理人： | 吕晓蕾 |
| 地址： | 518024广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种TFT基板，它属于玻璃技术领域，特别是用于显示器的TFT基板加工技术领域，在TFT基板设置有一具有防静电功能的氧化铟锡膜层；所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层的镀膜材料为氧化铟锡SnO2，其铟锡比例为98∶2，透过率＞88％、方阻在600～1200Ω/□之间；所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层膜厚为80±20；方阻在700～1150(Ω/□)之间。本发明采用低温、多靶、隔位溅射方法在TFT基板上镀制的高透过率、高方阻氧化铟锡膜层，即ITO膜，由于ITO膜的电阻值大，使得镀膜后的TFT基板具有良好的防静电功能，因此不容易吸附灰尘，同时防止镀膜时TFT基板的破碎和防止镀膜后TFT基板老化。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 tft 及其 加工 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种防静电TFT基板，其特征在于在TFT基板设置有一具有防静电功能的氧化铟锡膜层。
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