[发明专利]一种超纯冶金硅的制备方法无效
| 申请号： | 200810068852.9 | 申请日： | 2008-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101353167A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 吴展平 | 申请（专利权）人： | 贵阳高新阳光科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 | 代理人： | 徐逸心 |
| 地址： | 550014贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 一种超纯冶金硅的制备方法，属硅的纯化技术，它提供了一种杂质总含量低于100ppma并用于制造太阳能电池硅材料的初级提纯方法，采用物理冶金技术，以工业硅粉(纯度大于99.5％)作为原材料，经过酸化学预处理后，将硅粉和造渣剂混匀装在熔炼炉里的石英坩埚内，在微真空或常压下，向熔炼炉内吹入保护性气体；感应加热，使炉内温度达1400－1700℃，将金属硅熔炼成硅熔体；进行造渣除杂；最后进行定向凝固得到杂质总含量低于100ppma的超纯冶金硅，本法能够去除硅中大部分金属杂质元素，特别是能有效降低硅中B、P的含量，能满足低成本太阳能电池对硅原料的要求，本发明节约装置投资，降低能耗，工艺简单，生产易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冶金 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超纯冶金硅的制备方法，包括用于制造太阳能电池硅材料的初级提纯方法，其特征在于该方法采用物理冶金技术，以不低于99.5％的工业硅粉作原料，经过酸化学预处理后，将硅粉和造渣剂混匀在熔炼炉里的石英坩埚内，在微真空或常压下，向熔炼炉内吹入保护性气体，加热，使炉内温度达1400～1700℃，将金属硅熔炼成硅熔体；进行造渣除杂；最后进行定向凝固得杂质总量低于100ppma的超纯冶金硅。
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