[发明专利]脉冲激光扫描直接制备α－FeSi2薄膜的工艺无效
| 申请号： | 200810068862.2 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101337676A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 谢泉;张晋敏;肖清泉;张勇;余平;杨子仪 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C01B33/06 | 分类号： | C01B33/06 |
| 代理公司： | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 | 代理人： | 徐逸心 |
| 地址： | 550025贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种脉冲激光扫描直接制备α－FeSi2薄膜的工艺，涉及一种Fe－Si化合物，首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50－100nm的金属Fe膜，随后在空气中采用二极管泵浦激光器(Nd:YAG)产生的脉冲激光进行扫描，直接获得Fe－Si化合物中的高温金属相α－FeSi2薄膜，本工艺加工的α－FeSi2薄膜厚度均匀、面积大，采用脉冲激光扫描直接形成金属相α－FeSi2，在基于β－FeSi2的微电子或光电子器件中作电极和金属连接，不用引入其它材料，使工艺过程大大简化，这对新型环境友好半导体材料β－FeSi2的开发和应用具有重要价值。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 激光 扫描 直接 制备 fesi sub 薄膜 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种脉冲激光扫描直接形成α-FeSi2薄膜的制备方法，其特征为首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50-100nm的金属Fe膜，随后在空气中采用二极管泵浦激光器(Nd:YAG)产生的脉冲激光对金属Fe膜进行扫描，直接获得Fe-Si化合物中的高温金属相α-FeSi2薄膜。
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