[发明专利]基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管

摘要

基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Si_1－yGe_y层，吸收区为Si_1－zGe_z(y＜z≤1)层或Si_1－zGe_z/Si_1－yGe_y(y＜z≤1)多周期量子阱，基区为压应变的Si_1－xGe_x层(y＜x≤1)，发射区为Si_1－yGe_y层；在集电区、基区和发射区上设电极。

主权项

1.基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，其特征在于设有硅基硅锗虚衬底，硅基硅锗虚衬底的硅锗层为弛豫Si1-yGey(0＜y≤1)，在硅基硅锗虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，在集电区、基区和发射区的台面上设有SiO2绝缘层；集电区为Si1-yGey层，吸收区为Si1-zGez(y＜z≤1)层或Si1-zGez/Si1-yGey(y＜z≤1)多周期量子阱，基区为压应变的Si1-xGex层(y＜x≤1)，发射区为Si1-yGey层；在集电区、基区和发射区上分别设电极。