[发明专利]一种低损耗的半导体泵浦激光器

摘要

本发明公开了一种低损耗的半导体泵浦激光器，其包括输出1083nm附近波长光作为基频光泵浦系统、激光腔，激光腔包括激光腔腔片、激光增益介质以及非线性倍频晶体，激光增益介质为掺入Nd³⁺的激光增益介质，采用Nd³⁺离子⁴F_3/2→⁴I_11/2跃迁发射，通过设置激光增益介质光轴与非线性倍频晶体轴向的相对位置，或者在二者之间加设半波片，使其倍频光的偏振方向和激光增益介质光轴方向互相垂直，以减少腔内损耗，从而使倍频光得损耗降到最小。

主权项

1、一种低损耗的半导体泵浦激光器，包括输出1083nm附近波长光作为基频光泵浦系统、激光腔，激光腔包括激光腔腔片、激光增益介质以及非线性倍频晶体，激光增益介质为掺入Nd3+的激光增益介质，采用Nd3+离子4F3/2→4I11/2跃迁发射，其特征在于：a.当非线性倍频晶体采用一类相位匹配，并采用o+o→e结构时，非线性倍频晶体的轴向与激光增益介质的光轴相互平行，倍频光相对激光增益介质为偏振；b.当非线性倍频晶体采用一类相位匹配，并采用e+e→o结构时，非线性倍频晶体的轴向与激光增益介质的光轴相互垂直，倍频光相对激光增益介质为 偏振；c.当非线性倍频晶体采用二类相位匹配时，并采用o+e→o结构时，在非线性倍频晶体和激光增益介质之间插入半波片，半波片的光轴置于通光方向，并在激光增益介质光轴与非线性倍频晶体轴向之间的夹角的中分线上，使倍频光相当于激光增益介质为o光。