[发明专利]一种发光碳化硅薄膜的制备方法

摘要

一种发光碳化硅薄膜的制备方法，涉及一种碳化硅薄膜。提供一种发光碳化硅薄膜性能好，工艺简单，成本低，可制作成高温、高频、大功率、耐辐射等极端器件以及SiC集成电路、传感器等极端环境下工作核心光电子器件等的发光碳化硅薄膜的制备方法。以聚二甲基硅烷裂解的液相产物聚硅碳硅与乙酰丙酮铝升温反应后冷却，经溶解、过滤和蒸馏处理得先驱体聚铝碳硅烷，脱泡处理得连续聚铝碳硅烷自由原膜，再进行空气不熔化预氧化交联处理后预烧结：把经交联处理的连续聚铝碳硅烷自由原膜放入高温炉，升温，冷却后取出，得预烧结含铝碳化硅薄膜；交联处理后进行终烧，即得含铝碳化硅薄膜。

主权项

1.一种发光碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)以聚二甲基硅烷裂解的液相产物聚硅碳硅与乙酰丙酮铝在氮气保护下升温反应，反应结束后冷却至室温，经溶解、过滤和蒸馏处理得到淡黄色树脂状含铝的先驱体聚铝碳硅烷，以聚二甲基硅烷裂解的液相产物聚硅碳硅与乙酰丙酮铝的质量比为100∶4～8；2)对聚铝碳硅烷进行脱泡处理：将固体聚铝碳硅烷放入纺膜装置中的喷膜料桶中，装入碳化硅薄膜成型装置，将盛有固体聚铝碳硅烷的碳化硅薄膜成型装置放入真空炉内，设置温度为320～350℃，取出SiC薄膜纺膜装置后，将熔融的聚铝碳硅烷放入熔融纺丝机，设置纺膜温度300～330℃，然后进行纺聚铝碳硅烷薄膜，在喷膜口处得连续聚铝碳硅烷自由原膜；3)将连续聚铝碳硅烷自由原膜进行空气不熔化预氧化交联处理；4)交联处理后进行预烧结：把经过交联处理过的连续聚铝碳硅烷自由原膜放在石墨纸载样台上，再放入高温炉内，通入惰性气体保护，升温至800～1000℃，冷却后取出，即得预烧结含铝碳化硅薄膜；5)交联处理后进行终烧：把经过交联处理过的连续聚铝碳硅烷自由原膜放在石墨纸载样台上，再放入高温炉内，通入惰性气体保护，升温至1600～1900℃，冷却后取出，即得含铝碳化硅薄膜。