[发明专利]基于导电高分子聚吡咯的药物自动释放体系的制备方法无效
| 申请号： | 200810071230.1 | 申请日： | 2008-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101292953A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 葛东涛;戚汝财;石巍;黄三庆;穆静;张其清 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | A61K9/00 | 分类号： | A61K9/00;A61K47/48;A61K31/60;A61K47/30 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 陈永秀;马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 基于导电高分子聚吡咯的药物自动释放体系的制备方法，涉及一种药物控制释放技术。提供一种以聚吡咯为药物载体，无外加电位即可在体温下自动释放药物磺基水杨酸的基于导电高分子聚吡咯的药物自动释放体系的制备方法。将预处理后的钛片的一个表面用绝缘材料密封，然后将钛片浸入由吡咯单体和磺基水杨酸组成的水溶液中，采用电化学方法在钛片未密封的一侧表面上生长固载磺基水杨酸的聚吡咯膜，将钛片密封一侧的绝缘材料除去，再涂布一层二十烷，即得最终的药物释放体系。将药物释放体系置于生理盐水、磷酸盐缓冲溶液或模拟体液中，升温至36.8～37.5℃后二十烷自动溶解，固载到聚吡咯膜中的磺基水杨酸即可陆续自动释放到溶液中。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 导电 高分子 吡咯 药物 自动 释放 体系 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于导电高分子聚吡咯的药物自动释放体系的制备方法，其特征在于所说的药物自动释放体系的制备方法如下：1)以纯钛为基材，对钛片进行预处理；2)将预处理后的钛片的一个表面用绝缘材料密封；3)将钛片浸入由吡咯单体和磺基水杨酸组成的水溶液中，采用电化学方法在钛片未密封的一侧表面上生长固载了磺基水杨酸的聚吡咯膜，反应结束后将一侧长有聚吡咯膜的钛片取出，用水清洗后再用N2吹干；4)将钛片密封一侧的绝缘材料除去，再涂布一层二十烷，即得最终的药物释放体系。
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