[发明专利]一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法有效
| 申请号： | 200810071339.5 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101619487A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 陈达贵;林文文;黄丰;王永净;林璋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型导电性的CuI单晶体及其水热生长方法。生长的CuI晶体为γ相，是直接带隙的P型导电性半导体。利用低温水热法实现具有P型导电性优质CuI晶体的生长。得到的CuI晶体可以作为P型半导体衬底单晶用于宽禁带半导体光电子器件制作上，同时还可以作为超快闪烁晶体用于超高计数率电子束及γ和X射线测量中。由于工艺简单，操作方便，设备低廉，本发明提供的方法有利于工业化生产。由于矿化剂溶液中可以加入掺杂元素进行载流子调控，利用本方法可以实现CuI晶体材料的载流子的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电性 碘化 单晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种P型导电性的CuI单晶体，其特征在于：CuI晶体为γ相立方闪锌矿结构，是具有直接带隙的P型半导体，晶体中掺杂了碘或硫或硒，掺杂质量百分含量为10～1000ppm，其载流子浓度大于1015cm-3，载流子迁移率大于10cm2·V-1·s-1。
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