[发明专利]双掺镱铒离子七钼酸四钆锂激光晶体及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200810071781.8 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101676444A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王国富;赵旺;张莉珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B15/00;C30B15/04;H01S3/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光晶体双掺镱铒离子七钼酸四钆锂及其制备方法和用途。采用提拉法(Czochralski方法)，在1080℃，以10～30转/分钟的晶体转速，0.5～2毫米/小时的拉速，生长出了高质量、较大尺寸的Yb3+/Er3+:Li2Gd4(MoO4)7晶体。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1500nm左右波长的激光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 双掺镱铒 离子 钼酸 四钆锂 激光 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种双掺镱铒离子七钼酸四钆锂激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Li2Gd4(MoO4)7，属于四方晶系，晶胞参数为![]()
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Dc＝5.49g/cm3。
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