[发明专利]纳米SnO2种子嵌入涂层钛阳极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200810071889.7 申请日: 2008-10-07
公开(公告)号: CN101372751A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 王欣;唐电;颜琦;朱君秋;张腾;邵艳群 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: C25B11/04 分类号: C25B11/04
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 代理人: 蔡学俊
地址: 350002*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供一种纳米SnO2种子嵌入涂层钛阳极及其制备方法,该钛阳极表面沉积活性涂层,钛阳极的活性涂层是添加纳米SnO2种子的氧化物涂层;制备方法为:钛基处理,种子选择,含纳米SnO2种子的活性涂液的配制,涂层沉积于钛基材:采用常规的沉积法;涂层后续热处理,采用常规的热处理。本发明使钛阳极涂层的活性面积显著提高,而且制备方法简单,可操作性强,原料易得,成本低。
搜索关键词: 纳米 sno sub 种子 嵌入 涂层 阳极 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米SnO2种子嵌入涂层钛阳极,其特征在于:所述的钛阳极表面沉积活性涂层,所述的钛阳极的活性涂层为添加纳米SnO2种子的氧化物涂层。
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