[发明专利]一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法有效
| 申请号： | 200810072030.8 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101397693A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张双翔;蔡建九;张银桥;王向武 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/38;C30B29/40 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李 宁 |
| 地址： | 361000福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法，先在硅衬底上利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术生长一层AlN缓冲层，然后继续利用MOCVD技术生长InN单晶外延，并在InN单晶外延的生长过程中，通入四氯化碳CCl4。此方法可以提高InN单晶外延的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 质量 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法，其特征在于：先在硅衬底上利用金属有机化学气相沉积技术生长AlN缓冲层，然后继续利用金属有机化学气相沉积技术生长InN单晶外延，并在InN单晶外延的生长过程中，通入CCl4。
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