[发明专利]无诱导磁场下产生面内单轴磁各向异性的薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810072367.9 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101429646A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 彭栋梁;王伟;岳光辉;陈远志 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/18;C23C14/02;C23C14/54;H01F10/12 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 无诱导磁场下产生面内单轴磁各向异性的薄膜的制备方法，涉及一种软磁薄膜材料。提供一种无诱导磁场下产生面内单轴磁各向异性的薄膜的制备方法。其组成及其按原子百分比的含量为磁性合金或磁性金属：92％～98％，非磁性金属：2％～8％。将基片装入溅射室，安装上铁靶和非磁性金属靶，或铁钴合金靶和非磁性金属靶；开启真空系统进行抽气，直至溅射室本底真空高于5×10-4Pa；基片加热，直至设定基片温度；向溅射室通入反应气体，使靶面起辉并先预溅射，待辉光稳定后，启动基片旋转按钮，打开基片挡板，最后溅射沉积，得无诱导磁场下产生面内单轴磁各向异性的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 诱导 磁场 生面 内单轴磁 各向异性 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 无诱导磁场下产生面内单轴磁各向异性的薄膜的制备方法，其特征在于无诱导磁场下产生面内单轴磁各向异性的薄膜的组成及其按原子百分比的含量为磁性合金或磁性金属：92％～98％，非磁性金属：2％～8％；所述制备方法包括以下步骤：1)将基片装入溅射室，安装上铁靶和非磁性金属靶，或铁钴合金靶和非磁性金属靶；2)开启真空系统进行抽气，直至溅射室本底真空高于5×10-4Pa；3)基片加热，直至设定基片温度；4)向溅射室通入反应气体，使靶面起辉并先预溅射，待辉光稳定后，启动基片旋转按钮，打开基片挡板，最后溅射沉积，得无诱导磁场下产生面内单轴磁各向异性的薄膜。
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