[发明专利]灰阶掩模的缺陷修正方法和制造方法以及灰阶掩模有效
申请号: | 200810074062.1 | 申请日: | 2008-02-21 |
公开(公告)号: | CN101256349A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 坂本有司 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社;韩国HOYA电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/08;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种灰阶掩模,在透明基板上形成半透光膜和遮光膜,通过施加规定的图案而具有遮光部、透光部、以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部,用于在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案。利用半色调膜形成半透光部。在本发明的灰阶掩模的缺陷修正方法中,在半透光部产生缺陷时确定该缺陷部分,决定用于在确定的缺陷部分形成修正膜的成膜装置和成膜材料,在使用决定的成膜装置和成膜材料时,决定成膜面积使得曝光光的透过量在规定范围,形成决定的成膜面积的修正膜。 | ||
搜索关键词: | 灰阶掩模 缺陷 修正 方法 制造 以及 | ||
【主权项】:
1.一种灰阶掩模的缺陷修正方法,所述灰阶掩模在透明基板上形成半透光膜和遮光膜,通过施加规定的图案具有:遮光部;透光部;以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部,所述灰阶掩模用于在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案,其特征在于,利用所述半透光膜形成所述半透光部,在所述半透光部产生缺陷时确定该缺陷部分,决定用于在所述确定的缺陷部分形成修正膜的成膜装置和成膜材料,在使用所述决定的成膜装置和成膜材料时,决定成膜面积以使所述曝光光的透过量在规定范围内,形成所述决定了的成膜面积的所述修正膜。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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