[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 200810074089.0 申请日: 2008-02-21
公开(公告)号: CN101252114A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 须永健儿 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体装置,其在芯片表面设置突起电极,能进行倒装芯片的安装,为了提高突起电极与安装衬底的导电路的强度,有突起直径大、芯片的小型化难以进行的问题。本发明的半导体装置,使突起电极的突起直径小,将外部连接衬底粘接在半导体芯片上。在外部连接衬底的端部设有从半导体芯片伸出并连接外部连接衬底的两主面的外部连接电极。外部连接衬底的一主面侧的外部连接电极经由设置在覆盖其上的树脂层的开口部与突起电极连接,另外的主面的外部连接电极与安装衬底的导电路连接。另外,芯片与外部连接衬底通过基础填充材料固定,外部连接电极与安装衬底的导电路由焊锡固定。由此,即使在突起直径小的情况下,也可以提高结合强度,实现芯片的小型化。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体芯片,其形成有所希望的元件,在一主面侧设置有突起电极;外部连接衬底,其设置在该半导体芯片的所述一主面侧;所述外部连接衬底具有:绝缘性膜,其比所述半导体芯片大;外部连接电极,其覆盖自所述半导体芯片伸出的所述绝缘性膜的端部而设置,并与所述突起电极连接,所述半导体芯片与所述外部连接衬底通过在它们之间填充的绝缘性粘接材料而一体地固定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社,未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810074089.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top